封国强-中国科学院大学-UCAS
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教育背景
工作经历
专利与奖励
出版信息
科研活动
基本信息
封国强 男 硕导 其他电子邮件： gqfeng@nssc.ac.cn通信地址： 北京市海淀区中关村南二条一号邮政编码： 100190
招生信息
招生方向
空间环境辐射效应
教育背景
2004-09--2006-07 清华大学 硕士研究生
工作经历
工作简历
2006-07~现在, 中国科学院国家空间科学中心, 助理研究员/副研究员2004-09~2006-07,清华大学, 硕士研究生
专利与奖励
专利成果
（ 1 ）&nbsp一种用于半导体器件材料反射率的光学测量方法,&nbsp2015,&nbsp第 1 作者,&nbsp专利号: 201510432217（ 2 ）&nbsp一种脉冲激光个数优化方法及单粒子翻转截面的测试方法,&nbsp2014,&nbsp第 1 作者,&nbsp专利号: 201210536186（ 3 ）&nbsp一种检测FPGA单粒子效应与其时序特性关系的装置及方法,&nbsp2014,&nbsp第 1 作者,&nbsp专利号: 201210122908（ 4 ）&nbsp一种有源静电电场探头,&nbsp2013,&nbsp第 5 作者,&nbsp专利号: 201110228907
出版信息
发表论文
（1） Correction of single event latch-up rate prediction using pulsed laser mapping test, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2015, 第 3 作者（2） 单粒子翻转敏感区定位的脉冲激光试验研究, 原子能科学技术, 2015, 第 2 作者（3） 脉冲激光和重离子辐照FPGA产生的多位翻转效应的比较, 原子能科学技术, 2014, 第 1 作者（4） CMOS器件单粒子效应电荷收集机理, 北京航空航天大学学报, 2014, 第 2 作者（5） Laser SEU sensitivity mapping of deep submicron CMOS SRAM, Journal of Semiconductors, 2014, 第 2 作者（6） K6R4016V1D芯片在低地球轨道发生单粒子效应频次的分析, 空间科学学报, 2014, 第 2 作者（7） 脉冲激光模拟SRAM器件单粒子翻转效应的试验方法研究, 原子能科学技术, 2013, 第 2 作者（8） 基于脉冲激光单粒子效应的二次光斑研究, 原子能科学技术, 2013, 第 2 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ）&nbsp脉冲激光试验技术, 负责人, 国家任务, 2011-01--2017-06（ 2 ）&nbsp空间电子诱发纳米器件单粒子效应机理研究, 负责人, 中国科学院计划, 2014-06--2016-06（ 3 ）&nbsp阻变存储器及Flash单粒子效应试验, 负责人, 其他任务, 2016-05--2017-12
2013 中国科学院大学，网络信息中心.